情报
AI 生成的结构化厂商动态简报
联发科400G SerDes加速，意图分食谷歌TPU v10与Meta AI芯片订单
联发科CEO透露400G/448Gbps SerDes预计2027年就绪，以此竞逐谷歌TPU v10和Meta下一代AI定制芯片订单。公司已拿下TPU v9主要订单，并计划将ASIC市场份额提升至15%-20%，同时利用2nm工艺开发数据中心AI芯片。
联发科ASIC双轨封装：CoWoS与英特尔EMIB-T并行
联发科CEO确认ASIC项目采用英特尔EMIB-T封装，同时保留台积电CoWoS路线。EMIB-T以微小硅桥实现高密度互连，支持HBM集成，预计可达八至十倍光罩尺寸复合面积，以较低成本提供高密度算力。双轨并行反映封装成为AI芯片核心竞争维度。
台积电研发quasi-EMIB封装方案，旨在突破CoWoS产能瓶颈并降低成本
台积电正与景硕科技合作开发quasi-EMIB先进封装方案，以应对CoWoS产能严重受限的问题。该方案有望简化制造步骤、缩短生产周期并降低封装成本，帮助台积电在先进封装领域应对英特尔和三星的竞争。
英特尔加速俄亥俄晶圆厂，14A工艺2031年量产，EMIB-T封装成本低50%良率仅50%
英特尔加速俄亥俄晶圆厂建设，计划2031年量产14A工艺。其EMIB-T先进封装成本比台积电CoWoS低50%，但基板良率仅50%成为扩产瓶颈，预计2027年提供封装服务。
台积电研发类EMIB封装技术，联合景硕对抗英特尔CoWoS压力
台积电为应对CoWoS产能瓶颈和客户流失风险，联合景硕科技研发与英特尔EMIB类似的先进封装技术，旨在简化制造步骤、降低成本，并防止客户转向英特尔封装平台，凸显先进封装成为AI芯片竞争新战场。
台积电加速1.4nm制程，联手欣兴开发类EMIB封装防守Intel
台积电将1.4nm（A14）量产提前至2028年中，采用第二代GAA晶体管NanoFlex Pro，继续使用EUV而非High-NA EUV。同时与欣兴电子合作开发类EMIB封装技术，以缓解CoWoS产能瓶颈，防止AI芯片客户流向Intel封装平台。
台积电研发类EMIB封装技术，对标英特尔，缓解AI芯片产能瓶颈
台积电正在研发类EMIB先进封装技术，采用微型硅桥替代大型硅中介层，以降低封装成本和复杂度，缓解CoWoS产能紧张。此举旨在应对英特尔EMIB技术的竞争，并满足AI加速器日益增长的封装需求，巩固其在先进封装领域的主导地位。
高通加速数据中心转型，HBC集成封装芯片流片，苹果基带流失成催化剂
高通Q3财报显示苹果基带收入将环比暴跌50%，加速其数据中心战略转型。首款HBC（计算+内存集成封装）芯片已流片，目标FY2029数据中心收入150亿美元，同时宣布9月全线涨价。
台积电亚利桑那二厂主体建筑完成Q4进入设备装机阶段
...
NVIDIA Vera Rubin NVL72量产交付，能效比10倍跃迁改写AI算力基础设施规则
NVIDIA宣布Vera Rubin NVL72平台全面量产，首批交付CoreWeave、Microsoft、Amazon、Oracle等云厂商。每机架集成72颗Rubin GPU和36颗Vera CPU，在Agent AI工作负载上每单位能耗吞吐量较Blackwell提升10倍，推理成本降低10倍，标志着AI算力进入系统级集成的新阶段。
TSMC 2nm全面量产 AMD Venice/MI455X首发 先进制程竞争白热化
TSMC 2nm制程于7月全面量产，五座工厂同步扩产，Q2贡献约3%晶圆收入。AMD率先推出基于2nm的第六代EPYC Venice服务器CPU（256核）和Instinct MI455X AI加速器（3200亿晶体管，432GB HBM4），Q3出货。Samsung确认1.4nm 2029量产，Intel 18A导入High-NA EUV，代工竞争进入新阶段。
NVIDIA联手SK集团锁定HBM4供应链，主权AI工厂模式开启国家级投资
NVIDIA与SK集团宣布超5000亿美元AI合作，涵盖SK Telecom 2GW AI工厂（采用Vera Rubin+HBM4，2027年投运）、SK Hynix HBM4长期供应锁定，以及NVIDIA投资Naver 10亿美元（Brookfield追加90亿美元）。三星与博通另签2000亿美元协议。此举标志着AI基础设施投资进入国家级规模，并深度绑定供应链。
NVIDIA预付款15亿美元锁定Amkor美国先进封装产能，推动2nm/3nm/HBM4本土化
NVIDIA向Amkor预付款15亿美元，支持其亚利桑那州先进封装产能扩张，涵盖2nm/3nm/HBM4。此举将AI芯片封装从台湾转移至美国本土，与Wistron系统集成形成完整美国AI制造链，减少对亚洲依赖。
Intel 14A制程提前至2027H2风险试产，18A良率超目标25%并上调资本支出至200亿美元
Intel在Q2财报会上宣布14A制程提前至2027H2风险试产，2028年全面量产；18A良率超目标25%，已支持Panther Lake量产；同时上调2026年资本支出至200亿美元，2027年将显著增加，加速美国本土制造与代工转型。先进封装业务EMIB-T爆发成为利润支柱。
Intel 18A良率单季跃升20个百分点至85%+，先进封装EMIB良率达98%逼近TSMC N2
Intel Foundry 18A良率从65%提升至85%+，单季跃升20个百分点，逼近TSMC N2的90%。同时EMIB先进封装良率达90-98%，使Intel从封装瓶颈转为卖点。NVIDIA、AMD、Apple等已签约，但多为次级供应。
台积电追加千亿美元美国建6座晶圆厂，3nm本土化重塑AI芯片供应链
台积电宣布追加1000亿美元投资美国亚利桑那州，总投资额达2650亿美元，计划建设6座晶圆厂，重点聚焦3nm及更先进制程。此举配合NVIDIA、Apple、AMD等客户的AI算力需求，并将3nm制程美国本土化，彻底改变全球半导体供应链格局。Q2净利同比暴增77%，全年资本支出上调至600-640亿美元。
英特尔18A良率突破85% 获NVIDIA等大单 挑战台积电代工地位
英特尔宣布其18A工艺良率从65%提升至85%，接近台积电N2水平，并已获得NVIDIA、AMD、OpenAI等多家巨头代工订单。其EMIB先进封装良率也达98%，用于NVIDIA Feynman GPU、谷歌TPU等产品。这标志着英特尔代工业务取得实质性突破，可能改变AI芯片制造格局。
长电科技百亿Capex押注先进封装，AI芯片封装供应链加速重构
长电科技（JCET）宣布2026年资本支出100亿人民币，大幅增加AI先进封装投资，重点发展Chiplet、HBM、2.5D/3D封装。此举标志着中国OSAT正式大规模切入高端封装领域，与台积电CoWoS产能形成双轨并行，推动AI封装从台湾单极主导走向两岸分工，支撑本土Hyperscaler算力本地化。
台积电扩产PIC至2.5万片晶圆，CPO硅光互连加速淘汰传统电互联
台积电预计2028年将PIC光子集成电路月产能扩至2.5万片晶圆，其COUPE平台将成AI系统降低延迟与功耗的关键。初期产能锁定英伟达、博通和AMD，标志CPO技术从实验阶段正式迈入大规模量产准备，推动AI互连从电向光迁移。
Anthropic与三星洽谈2nm AI芯片代工，意在打破NVIDIA CUDA控制
Anthropic正在与三星洽谈采用2nm工艺及先进封装技术定制AI芯片，并已招募OpenAI芯片核心工程师。此举旨在减少对NVIDIA GPU的依赖，掌握底层基础设施主动权，标志着AI模型公司向芯片架构控制层发起冲击。