TSMC 2026-07-31
Architecture Shift 影响: Major 置信: 85%

台积电研发类EMIB封装技术,联合景硕对抗英特尔CoWoS压力

内容摘要

台积电为应对CoWoS产能瓶颈和客户流失风险,联合景硕科技研发与英特尔EMIB类似的先进封装技术,旨在简化制造步骤、降低成本,并防止客户转向英特尔封装平台,凸显先进封装成为AI芯片竞争新战场。

核心要点

台积电正研发与英特尔EMIB(嵌入式多芯片互连桥)类似的先进封装技术,以防止客户从CoWoS转向英特尔封装平台。在CoWoS产能持续紧张、供不应求的背景下,台积电联合台湾IC载板厂商景硕科技(Kinsus)推进该类EMIB方案,有望大幅简化制造步骤、缩短生产周期并降低封装成本。英特尔EMIB将硅桥直接嵌入封装基板,提供局部高密度裸片间互连,避免全尺寸硅中介层的成本与面积开销,已推出集成MIM电容EMIB-M与带TSVEMIB-T配置,支持逻辑与HBM间高带宽连接,其中EMIB-T通过TSV实现垂直互连,对HBM3堆叠至关重要。报道称谷歌可能为第九代TPU转向英特尔EMIB,凸显英特尔封装技术的吸引力。英特尔CEO称EMIB-T需求非常高并在建立积压订单,目标2027年进入高量产。此举凸显先进封装正成为AI芯片竞争新战场,台积电必须快速跟进以维持其代工领导地位。

重要性说明

台积电研发类EMIB表面上是应对产能瓶颈,实则是防守英特尔在先进封装领域的进攻,防止客户流失。其隐性锁定在于通过联合景硕科技建立类似英特尔的EMIB生态,但EMIB本身是英特尔主导技术,台积电可能面临专利风险和技术成熟度问题。
从硬核工程视角,CoWoS虽性能好但成本高、产能有限,而EMIB简化流程但互连密度可能不如CoWoS,尤其对于需要高带宽互连的AI芯片。台积电的类EMIB可能无法达到英特尔EMIB-T的TSV支持,这对HBM堆叠至关重要。客户转向英特尔封装可能被锁定在英特尔制造生态,台积电此举是为了保持封装控制权,但硅桥嵌入基板工艺要求高,良率控制难,且与现有CoWoS产线兼容性未知,景硕科技的载板供应能力能否满足大规模量产也是风险。

PRO 决策建议

【厂商】Intel:应加速EMIB-T的量产进程,突出其技术成熟度和性能优势,特别是针对HBM3/4的高带宽互连。同时,提供开放的封装服务,吸引更多客户如谷歌TPU,巩固EMIB生态。Samsung:可考虑类似I-Cube等封装方案,强调多源供应,避免客户被单一代工厂锁定。
【企业】CIO/架构师:在评估AI芯片时,应关注封装技术对性能、功耗和成本的影响。要求供应商提供封装技术细节,包括互连密度、带宽、良率等指标。避免过度依赖单一封装技术,考虑多源封装选项,确保供应链弹性。对于声称的类EMIB技术,需验证其与现有HBM和逻辑芯片的兼容性,以及长期产能保障。
【投资者】看穿台积电此举是防守性投资,反映CoWoS产能瓶颈和英特尔封装技术的威胁。短期可能增加资本支出,但长期有助于维持市场份额。关注台积电与景硕科技的合作进展,以及英特尔EMIB的客户获取情况。先进封装竞争加剧,可能改变代工格局,投资需考虑技术路线风险。

来源: TrendForce
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