Applied Materials发布3D芯片工艺新系统，支持GAA晶体管和3D NAND扩展

## 核心事实 6月15日，Applied Materials发布两款面向3D芯片扩展的制造系统，直接针对AI芯片制造中高深宽比3D结构的工艺瓶颈。 ## 技术细节 - Centris Spectral SiN ALD：新型微波等离子体原子层沉积系统，用于GAA晶体管接触衬垫的均匀介电薄膜沉积，降低电阻和电容。传统工艺在高深宽比结构中材料分布不均，SiN ALD解决这一核心问题 - Producer Selectra Mo Etch：选择性钼蚀刻系统，干法工艺替代湿法，用于3D NAND字线分离。干法工艺减少单元间变异，提高存储密度一致性，已通过量产验证 - 两款系统均针对AI芯片制造需求设计，支持GAA晶体管和高层数3D NAND扩展 ## 市场背景 AI芯片对3D封装和高密度存储的需求持续推高制造设备市场。Applied Materials作为全球最大半导体设备商之一，此次发布填补了GAA和3D NAND制造的关键工艺空白。钼互连技术是铜互连的下一代替代方案，Selectra Mo Etch是首个量产级钼蚀刻方案。 ## 相关信息 - GAA晶体管是2nm及以下节点的标准架构，设备需求将持续增长 - 3D NAND层数已突破300层，字线蚀刻精度要求越来越高 - 台积电、三星均已采购Applied Materials的GAA相关设备