情报
AI 生成的结构化厂商动态简报
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2026-06-17
应用材料发布3D芯片工艺系统，攻克GAA晶体管与3D NAND制造瓶颈
应用材料发布Centris Spectral SiN ALD沉积系统和Producer Selectra Mo Etch蚀刻系统，分别针对GAA晶体管接触衬垫的均匀薄膜沉积和3D NAND字线的钼蚀刻，解决高深宽比3D结构中的工艺均匀性问题，支持AI芯片制造。
Samsung Electronics
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2026-05-23
美光联手台积电：2027年HBM4E定制化逻辑晶片将重塑AI记忆体格局
美光宣布其HBM4E产品将于2027年量产，采用1-gamma DRAM，并由台积电制造标准与定制化逻辑晶片。此举标志着HBM从标准品迈向定制化，强化AI推理工作负载的记忆体战略地位。