情报
AI 生成的结构化厂商动态简报
联发科400G SerDes加速，意图分食谷歌TPU v10与Meta AI芯片订单
联发科CEO透露400G/448Gbps SerDes预计2027年就绪，以此竞逐谷歌TPU v10和Meta下一代AI定制芯片订单。公司已拿下TPU v9主要订单，并计划将ASIC市场份额提升至15%-20%，同时利用2nm工艺开发数据中心AI芯片。
联发科ASIC双轨封装：CoWoS与英特尔EMIB-T并行
联发科CEO确认ASIC项目采用英特尔EMIB-T封装，同时保留台积电CoWoS路线。EMIB-T以微小硅桥实现高密度互连，支持HBM集成，预计可达八至十倍光罩尺寸复合面积，以较低成本提供高密度算力。双轨并行反映封装成为AI芯片核心竞争维度。
高通第六代骁龙8系列将涨价，2纳米制程推高成本
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Meta转投三星2纳米代工：MTIA ASIC供应链生态重构
Meta与三星合作，将下一代MTIA ASIC代工从台积电转向三星2纳米工艺，计划数十万组规模量产。此举旨在支撑2030年5吉瓦数据中心目标，每六个月推新一代芯片，重构AI芯片供应链生态。
Anthropic与三星洽谈2nm AI芯片代工，意在打破NVIDIA CUDA控制
Anthropic正在与三星洽谈采用2nm工艺及先进封装技术定制AI芯片，并已招募OpenAI芯片核心工程师。此举旨在减少对NVIDIA GPU的依赖，掌握底层基础设施主动权，标志着AI模型公司向芯片架构控制层发起冲击。
谷歌TPU v9转单联发科，博通AI芯片霸权遭系统性拆解
谷歌将TPU v9改版Humufish独家设计整合订单从博通转向联发科，后者负责I/O芯片设计及封装整合。此举配合分芯代工策略（台积电N2计算裸片、三星2nm I/O裸片），标志着谷歌正系统性构建多供应商、多制程的弹性AI芯片供应链，直接瓦解博通在定制ASIC领域的统治地位。
台积电三重压力：客户分流、专利诉讼与EUV路线抉择
台积电面临运营、法律和商业三重压力：谷歌将下一代AI芯片Icefish部分生产分给三星，美国ITC专利调查威胁进口限制，以及熟练工人、水电等资源瓶颈。台积电确认2029年前不购买高NA EUV，通过多重图案化实现2纳米，节省数十亿美元。
ASML EXE:5200 High-NA EUV光刻机：8nm分辨率锁定2nm制程，但成本陷阱隐现
ASML发布新一代High-NA EUV光刻机EXE:5200，分辨率从13nm提升至8nm，晶圆每小时处理量达220片，支持2nm及更先进制程量产。英特尔为首发客户，计划用于18A工艺。ASML同时透露研发Hyper-NA（NA 0.85）以支撑1nm以下工艺。
三星3nm GAA良率破80%获英伟达订单：台积电垄断遭挑战
三星电子宣布其3纳米GAA工艺良率突破80%，并成功获得英伟达部分中端GPU订单。这是三星在先进制程商业化的重要里程碑，标志着其SF3工艺达到可量产水平，旨在降低英伟达对台积电的依赖。
台积电公布2纳米及更先进制程技术路线图
台积电公布其2纳米（N2）制程将采用GAAFET架构替代FinFET，并规划了后续A系列制程。该技术旨在提升高性能计算和移动应用的性能与能效，通过新材料和3D封装支持AI、5G/6G等前沿需求。
台积电发布先进制程路线图，N2和A16技术引领芯片创新
台积电公布了逻辑工艺技术路线图，重点展示2纳米（N2）和A16等先进制程。N2采用GAAFET架构，提升性能并降低功耗；A16结合背面供电网络，优化高性能计算。这体现了台积电在半导体制造领域的持续领导力和技术创新。