三星在FMS 2026发布下一代3D内存愿景

三星电子在加州圣克拉拉举行的FMS 2026（未来内存与存储大会）上展示了下一代3D内存技术愿景，勾勒AI基础设施存储发展路线图。展示涵盖AI内存创新技术，包括高带宽内存（HBM）技术演进、CXL内存扩展方案以及AI-SSD解决方案。三星强调其从DRAM到NAND Flash的全栈AI存储能力，旨在满足生成式AI对内存容量和带宽的爆发式需求。尽管Q2利润因内存芯片需求疲软大跌95%，公司仍看好下半年AI基础设施带动的存储需求复苏。