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ASML详解EUV与DUV光刻核心光学技术差异
内容摘要
ASML技术文章深入解析EUV光刻采用多层镀膜反射镜系统解决材料吸收难题，DUV光刻使用高纯度熔融石英透镜与热管理控制。两种技术路径均依赖原子级精密制造工艺，支撑芯片制程持续微缩。
核心要点
ASML技术说明揭示：EUV光刻因13.5nm波长光被材料强烈吸收，必须采用反射镜系统而非传统透镜，镜面需原子级平滑度。DUV光刻使用特殊熔融石英非球面透镜，并配备热管理系统控制激光引起的变形。
文章强调这两种光学方案的工程挑战和精度要求，体现了ASML在超精密光学领域的技术壁垒。
文章强调这两种光学方案的工程挑战和精度要求，体现了ASML在超精密光学领域的技术壁垒。
重要性说明
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