情报
AI 生成的结构化厂商动态简报
Samsung Electronics
其他
2026-05-23
美光联手台积电：2027年HBM4E定制化逻辑晶片将重塑AI记忆体格局
美光宣布其HBM4E产品将于2027年量产，采用1-gamma DRAM，并由台积电制造标准与定制化逻辑晶片。此举标志着HBM从标准品迈向定制化，强化AI推理工作负载的记忆体战略地位。
Samsung Electronics
其他
2026-03-20
SK海力士HBM4E逻辑芯片跳级至TSMC 3nm，意在狙击三星4nm性能领先
SK海力士计划在第七代HBM4E中采用TSMC 3nm工艺制造逻辑芯片，较HBM4的12nm实现代际跨越。此举旨在扭转在HBM4上性能落后三星（三星采用4nm逻辑）的局面，为NVIDIA Vera Rubin Ultra等下一代AI芯片提供更高带宽与能效。
Samsung Electronics
其他
强信号
2026-03-17
三星发布HBM4E内存与混合铜键合技术，强化AI基础设施布局
三星在GTC 2026宣布HBM4量产并展示下一代HBM4E，带宽达4TB/s。采用混合铜键合技术实现16层以上堆叠，热阻降低20%。同时推出针对NVIDIA AI基础设施的SOCAMM2内存和PCIe 6.0 SSD产品线。
Samsung Electronics
其他
1970-01-01
SK海力士HBM4E送样：3nm逻辑+384GB单GPU，引爆AI内存带宽军备竞赛
SK海力士向主要客户发出12层HBM4E样品，采用TSMC 3nm逻辑裸芯，单引脚带宽显著提升，目标平台为NVIDIA Rubin Ultra，每GPU容量达384GB。此举标志着与三星在下一代AI存储赛道正式进入抢跑阶段，HBM BOM占比已飙升至65-70%。