Vendor Strategy
Important
High
90% Confidence
三星发布HBM4E内存与混合铜键合技术，强化AI基础设施布局
内容摘要
三星在GTC 2026宣布HBM4量产并展示下一代HBM4E，带宽达4TB/s。采用混合铜键合技术实现16层以上堆叠，热阻降低20%。同时推出针对NVIDIA AI基础设施的SOCAMM2内存和PCIe 6.0 SSD产品线。
核心要点
三星发布第六代HBM4已进入量产，专为NVIDIA Vera Rubin平台设计，提供11.7Gbps稳定速度。首次展示HBM4E实现16Gbps单引脚速度和4.0TB/s带宽。
展示混合铜键合技术，相比热压键合可实现16层或更多堆叠，热阻降低20%以上。
同时推出SOCAMM2低功耗DRAM服务器内存模块和基于PCIe 6.0的PM1763 SSD，在NVIDIA服务器演示性能。
展示混合铜键合技术，相比热压键合可实现16层或更多堆叠，热阻降低20%以上。
同时推出SOCAMM2低功耗DRAM服务器内存模块和基于PCIe 6.0的PM1763 SSD，在NVIDIA服务器演示性能。
重要性说明
三星通过内存技术创新巩固AI基础设施领域地位，与NVIDIA深度绑定争夺生态制高点。高性能内存技术将推动AI训练推理效率提升。...